Jun Ren 1,2Han Lin 1,5,6Xiaorui Zheng 1Weiwei Lei 3[ ... ]Baohua Jia 1,5,6,*
Author Affiliations
Abstract
1 Centre for Translational Atomaterials, School of Science, Computing and Engineering Technologies, Swinburne University of Technology, P. O. Box 218, Hawthorn, Victoria 3122, Australia
2 School of Integrated circuits, Tsinghua University, Haidian, Beijing 100084, China
3 Institute for Frontier Materials, Deakin University, Geelong, Victoria 3216, Australia
4 Institute of Laser Engineering, Beijing University of Technology, Chaoyang, Beijing 100124, China
5 The Australian Research Council (ARC) Industrial Transformation Training, Centre in Surface Engineering for Advanced Materials (SEAM), Swinburne University of Technology, Hawthorn, Victoria 3122, Australia
6 School of Science, RMIT University, Melbourne, Victoria 3000, Australia
Recently, hexagonal boron nitride (h-BN) has become a promising nanophotonic platform for on-chip information devices due to the practicability in generating optically stable, ultra-bright quantum emitters. For an integrated information-processing chip, high optical nonlinearity is indispensable for various fundamental functionalities, such as all-optical modulation, high order harmonic generation, optical switching and so on. Here we study the third-order optical nonlinearity of free-standing h-BN thin films, which is an ideal platform for on-chip integration and device formation without the need of transfer. The films were synthesized by a solution-based method with abundant functional groups enabling high third-order optical nonlinearity. Unlike the highly inert pristine h-BN films synthesized by conventional methods, the free-standing h-BN films could be locally oxidized upon tailored femtosecond laser irradiation, which further enhances the third-order nonlinearity, especially the nonlinear refraction index, by more than 20 times. The combination of the free-standing h-BN films with laser activation and patterning capability establishes a new promising platform for high performance on-chip photonic devices with modifiable optical performance.
hexagonal boron nitride third-order nonlinearity laser oxidation optoelectronic device 
Opto-Electronic Science
2022, 1(6): 210013
Author Affiliations
Abstract
1 Key Laboratory of Advanced Optoelectronic Quantum Architecture and Measurements of Ministry of Education, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China
2 College of Physics and Hebei Key Laboratory of Photophysics Research and Application, Hebei Normal University, Shijiazhuang 050024, China
The realization of robust coherent energy transfer with a long range from a donor to an acceptor has many important applications in the field of quantum optics. However, it is hard to be realized using conventional schemes. Here, we demonstrate theoretically that robust energy transfer can be achieved using a photonic crystal platform, which includes the topologically protected edge state and zero-dimensional topological corner cavities. When the donor and the acceptor are put into a pair of separated topological cavities, the energy transfer between them can be fulfilled with the assistance of the topologically protected interface state. Such an energy transfer is robust against various kinds of defects, and can also occur over very long distances, which is very beneficial for biological detections, sensors, quantum information science, and so on.
Photonics Research
2020, 8(11): 11000B39
作者单位
摘要
北京工业大学激光工程研究院, 北京市激光应用技术工程技术研究中心, 北京 100124
报道了一种基于光纤被动调Q 的纳秒脉冲铒镱双掺全光纤激光器,该激光器采用线型双腔结构,利用单模双包层铒镱双掺光纤的可饱和吸收特性,同时结合谐振腔间的相互作用,获得高效、稳定的纳秒脉冲输出。最终能够实现平均功率为2.2 W、最窄脉宽为173 ns的1570 nm 激光输出,脉冲重复频率在14~156 kHz范围内可调。
激光器 光纤激光器 光纤光栅 纳秒脉冲 被动调Q 
中国激光
2015, 42(10): 1002006
任军 1,*吴思达 2程昭晨 1徐佳 1[ ... ]王璞 1
作者单位
摘要
1 北京工业大学激光工程研究院国家产学研激光技术中心, 北京 100124
2 天津大学化工学院, 天津 300072
分别将氧化石墨烯可饱和吸收镜(GOSAM)与半导体可饱和吸收镜(SESAM)作为可饱和吸收体,在同一掺铒光纤激光器中均实现了全光纤结构、稳定的锁模飞秒脉冲输出。实验用抽运源为中心波长974 nm 的半导体激光器,抽运1.4 m 长的吸收率为7 dB/m 的掺铒光纤,谐振腔总腔长约为12 m。以GOSAM 作为可饱和吸收体,当抽运功率为29 mW 时,激光器产生稳定的锁模脉冲输出,脉冲宽度最窄为703 fs,光谱中心波长为1557.67 nm,3 dB 带宽为3.91 nm。使用调制深度为18%的SESAM 作为可饱和吸收体,当抽运功率为32 mW 时也可得到锁模脉冲,脉冲宽度为542 fs,光谱中心波长为1561.5 nm,3 dB 带宽为5.41 nm。实验表明,新型激光锁模器件氧化石墨烯的可饱和吸收效应可与SESAM 媲美,且兼具价格低廉、制备简单的优势,在实现超短脉冲运转方面具有广阔的实际应用前景。
激光器 光纤激光器 掺铒光纤 半导体可饱和吸收镜 氧化石墨烯 锁模 
中国激光
2015, 42(6): 0602013
作者单位
摘要
1 大连理工大学物理与光电工程学院, 辽宁 大连 116024
2 大连理工大学生命科学与技术学院, 辽宁 大连 116024
3 大连理工大学化工学院, 辽宁大 连 116024
4 中国电子科技集团公司第三十八研究所, 安徽 合肥 230088
温度敏感性是影响波导微环光学生化传感器性能的重要因素。从微环谐振方程出发分析了微环传感器温度敏感性产生的机理,研究了以SU8-NOA61-SU8 三明治结构聚合物衬底代替传统硅衬底,利用衬底的热膨胀效应抵消波导的热光效应,来消除聚合物波导微环光学生化传感器的温度敏感性。采用ANSYS软件对三明治衬底的厚度进行了仿真设计,得到了温度不敏感条件下的衬底厚度参数。对SU8 和NOA61 旋涂成膜工艺进行了实验研究,得到SU8和NOA61的膜厚控制精度分别为0.07 μm@20 r/min 和0.34 μm@20 r/min。分析得到三明治聚合物衬底波导微环传感器的温度敏感性和探测极限值,达到了带有温控装置的硅衬底聚合物波导微环传感器的性能。
集成光学 聚合物波导 微环 光学生化传感器 温度敏感性 
光学学报
2015, 35(11): 1113004
徐佳 1,*吴思达 2刘江 1任军 1[ ... ]王璞 1
作者单位
摘要
1 北京工业大学激光工程研究院国家产学研激光技术中心, 北京 100124
2 天津大学化工学院, 天津 300072
报道了基于氧化石墨烯可饱和吸收体的类噪声脉冲拉曼光纤激光器。该激光器采用了一种由掺铒光纤谐振腔和拉曼光纤谐振腔构成的全光纤双环形腔结构。拉曼增益介质为长约700 m的商用硅基高非线性光纤。当半导体激光器的抽运功率为4.16 W时,得到了中心波长为1690.2 nm,重复频率为250 kHz,脉冲宽度为500 ns的稳定的脉冲激光,其信噪比为53 dB。
激光器 光纤激光器 受激拉曼散射 被动锁模 氧化石墨烯 
中国激光
2014, 41(3): 0302006
作者单位
摘要
1 空军工程大学等离子体动力学重点实验室,陜西 西安 710038
2 北京航空航天大学能源与动力工程学院,北京 100083
为研究激光冲击强化对K4030合金叶片疲劳性能的影响,对K4030合金片进行了激光冲击强化,并对强化后的试样进行了表面粗糙度、残余应力、微观组织和显微硬度测试,对叶片进行了复合疲劳试验。测试结果表明,冲击强化前后试样的表面粗糙度没有明显变化;试样在距离材料表面1 mm的深度内产生大于450 MPa的残余压应力;试样冲击强化区内晶界处的晶粒得到了细化;试样在距离表面0.8 mm深度内的显微硬度得到了提高,且表面的显微硬度提高了16%。疲劳试验结果表明,激光冲击强化可显著提高K4030合金叶片的复合疲劳安全寿命。
激光技术 激光冲击强化 K4030合金 微观组织 显微硬度 残余应力 表面粗糙度 疲劳寿命 
激光与光电子学进展
2014, 51(1): 011405
作者单位
摘要
1 北京理工大学光电学院 光电成像技术与系统 教育部重点实验室, 北京100081
2 微光夜视技术重点实验室, 西安 710065
为利用低成本UTP双绞线实现高清VGA模拟视频信号的远距离传输, 完成了VGA模拟差分信号的远距离传输系统的设计及实现。在发送端, 通过差分驱动芯片AD8147对信号进行驱动; 在接收端, 采用差分接收和均衡器AD8123芯片对信号进行均衡和补偿, 恢复原始视频信号。实验证明, 该系统可以在CAT-5e类UTP双绞线上实现最大距离300m、720P分辨率的高清VGA模拟视频信号的远距离传输, 传输后的视频图像清晰、色彩饱满。
模拟差分信号 远距离传输 VGA VGA analog differential signal long-distance transmission 
光学技术
2013, 39(5): 433
作者单位
摘要
Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Academia Sinica, Shanghai 201800
fringe analysis centroid method geometric center method F-test method 
Chinese Journal of Lasers B
1992, 1(2): 177
作者单位
摘要
High power laser and Physics Joint Laboratory, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Academia Sinica, Shanghai 201800
toroidal mirror X-ray laser gain 
Chinese Journal of Lasers B
1992, 1(2): 149

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